The CTE anisotropy of CVD silicon single crystal at elevated temperatures.

The thermal expansion of CVD single crystal silicon was measured with a dilatometer up to 1100°C in different crystallographic orientations. Thermal analysis, Laue analysis and X-ray diffraction were used to verify silicon crystal orientation and absence of possible phase transformations. Coefficients of thermal expansion have been calculated in a wide temperature range and their variations with temperature have been demonstrated. Температурное расширение монокристаллического кремния, полученного CVD- методом, изучено в интервале температур 20-1100°С для различной кристаллографической ориентации образцов. Использовали дилатометрический, калориметрический и рентгенофазовый методы анализов. Вычислена температурная зависимость коэффициента термического расширения монокристаллического кремния для температурного интервала 20-1100°С. A.V. Mazur, M.M. Gasik